Semua kategori
Pilihan unggulan
    Trade Assurance
    Pusat Pembeli
    Pusat Bantuan
      Dapatkan aplikasinya
      Menjadi pemasok

      Transistor IGBT 650V 60A dengan paket TO-247 untuk Inverter PV pengelas UPS PFC dan aplikasi sakelar lainnya

      Belum ada ulasan
      Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yrCN

      Atribut kunci

      Spesifikasi industri inti

      Nomor model
      AKGH60T65SMD
      Jenis
      Transistor
      Nama merek
      AIKO
      Jenis paket
      Melalui Lubang

      Atribut lainnya

      Jenis Pemasangan
      Melalui Lubang
      Deskripsi
      Impedansi Input tinggi, VCE(sat)= 1.9V (typ.) @ IC = 60A, Transistor IGBT Trench Stop lapangan 650V60A, Koefisien suhu positif, Sakelar kecepatan tinggi & kehilangan daya rendah
      Tempat asal
      Zhejiang, China
      Paket/Kasus
      TO-247
      Jenis
      Transistor IGBT
      Suhu Operasional
      -40 ℃ ~ + 175 ℃ (TJ)
      Seri
      IGBT
      Aplikasi
      Inverter PV dan Las UPS PFC
      Supplier Type
      Produsen Asli, ODM
      Media, Tersedia
      Lembar Data, foto
      品名
      Transistigbt Transistor 650V60A
      Saat Ini-Collector (IC)
      60A(TC = 100 ℃), 100A(TC = 25 ℃)
      Tegangan-Collector Emitor Breakdown (Max)
      650V
      VCE Saturasi (Max) @ Ib, IC
      1.9V
      Saat Ini-Collector Cutoff (Max)
      60A
      Suhu operasi
      -40 °C ~ 175 °C (TJ)
      Mounting Type
      melalui Lubang
      VGS (Th) (Max) @ ID
      6.0V
      Gerbang Biaya (QG) (Max) @ VGS
      98nC
      Peringkat Saat Ini (AMP)
      60A
      Tegangan Yang Dapat Dilakukan
      650V
      IGBT Tipe
      FieldStop Trench
      Konfigurasi
      Single
      VCE (Di) (Max) @ Vge IC
      1.9V
      Kapasitansi Masukan (Cies) @ VCE
      2405pF
      Saat Ini Drain (Id)-MAX
      60A
      Tegangan Output
      650V
      Tegangan-Offset (VT)
      ± 20V
      Saat Ini-Valley (IV)
      60A
      Saat Ini-Peak
      100A
      Applications
      Inverter PV dan Las UPS PFC
      Jenis Transistor
      Transistor IGBT
      VCES
      650V
      Arus kolektor 1
      60A(TC = 100 ℃)
      Arus kolektor 2
      100A(TC = 25 ℃)
      Arus pengumpul berdenyut
      180A
      Arus maju terus menerus dioda
      30A
      Arus maju Diode maksimal
      180A
      VCE(sat)
      1.9V (typ.) IC = 60A
      Waktu penundaan mematikan
      220ns (typ.)
      BVCES
      650V (min)
      VGE max
      6.0V
      Tampilkan lebih banyak

      Waktu tunggu

      Kuantitas (Buah)1 - 5000050001 - 100000000 > 100000000
      Estimasi Waktu (hari)2030Untuk Dinegosiasikan

      Kustomisasi

      Logo kustom
      Min. Order: 100000
      Pengemasan kustom
      Min. Order: 100000
      Kustomisasi grafis
      Min. Order: 100000
      Untuk detail kustomisasi lebih lanjut, kirim pesan ke pemasok

      Deskripsi produk dari pemasok

      50000 - 99999999 Buah
      TRY 9,70
      >= 100000000 Buah
      TRY 3,12

      Variasi

      Opsi total:
      Pilih sekarang

      Pengiriman

      Solusi pengiriman untuk jumlah yang dipilih saat ini tidak tersedia

      Membership benefits

      Pengembalian dana cepatLihat lebih banyak

      Perlindungan untuk produk ini

      Pembayaran aman

      Setiap pembayaran yang Anda lakukan di Alibaba.com dijamin dengan enkripsi SSL yang ketat dan protokol perlindungan data PCI DSS

      Kebijakan pengembalian dana & Easy Return

      Klaim pengembalian dana jika pesanan Anda tidak terkirim, hilang, atau tiba dengan masalah produk, ditambah pengembalian lokal gratis untuk produk cacat
      Alibaba.com melindungi semua pesanan Anda yang dilakukan dan dibayar di platform dengan